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更多>>處理所有西鐵城晶振通用的預防措施
來源：http://www.diginow.com.cn 作者：康比電子 2019年03月29
日本西鐵城精設備是一個新公司,三家企業公民的有超過50年歷史的御代田有限公司,西鐵城精科技有限公司,西鐵城精密株式會社的傳統誕生通過兩次并購.西鐵城公司生產和銷售汽車,石英晶體振蕩器,貼片晶振,32.768K及相關零件,陶瓷晶振等零件,鐵電液晶顯示器微型顯示器,燃燒壓力傳感器,測量裝置,電機等小型金屬加工零件,并擁有多種商業產品.正在擴大.這些產品得到專有的核心技術的支持,例如多年來培育的小金屬零件加工技術,薄膜技術,脆性材料加工技術,裝配技術和密封技術.此外,為了保持獨特性,使用內部開發的制造設備.下面介紹一下處理所有西鐵城晶振通用的預防措施
儲存時間:
在高溫和高濕度下存放可能會導致頻率精度和可焊性降低.因此,請存放在沒有陽光直射的常溫常濕下不會發生結露的地方.另外,避免長期存放,請在開封后盡快使用.
關于振蕩器電路設計的注意
在設計振蕩器電路時,必須將電路常數設置為最佳條件,以便可以充分利用晶體單元的特性.根據我們的經驗,Citizen提供服務以研究以下特性,以優化石英晶振單元和振蕩器之間的匹配.此電路調查的目的是為客戶提供使用晶體單元的更多信心.
1.MOSIC晶體振蕩器電路
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CMOS晶體振蕩器電路
2.負載能力(CL)
負載電容(CL)是振蕩器電路中從晶體振蕩器到振蕩器電路的有效外部電容,諧振頻率由有源晶振和負載電容決定.因此,如果晶體單元的負載容量與所用電路的容量不匹配,則會發生頻移.
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3.負電阻(-R)
負電阻也稱為振蕩裕度,是電路啟動振蕩能力的量度.如果使用負電阻不足的電路,則可能發生意外事故,即使電源接通,西鐵城晶振也不會振蕩.
4.勵磁電流(i)
激勵電流表示流向晶體單元的電流.如果對晶體單元施加過大的激勵電流,則可能發生以下故障現象.
1.電磁波噪聲變強.
2.在T/F的情況下,發生分支破損.
3.發生頻率溫度特性的異常.
4.發生石英晶體振蕩器的特性變化.(頻率變化,等效串聯電阻變化等)
5.頻率-電源電壓特性
它表示頻率相對于電源電壓變化的變化率.由電源波動引起的頻率變化的原因在電路側(特別是IC)比石英振蕩器大,并且通常認為在頻率變化率保持在±5ppm以內時電源電壓的±10％波動是理想的.
6.頻率-溫度特性
它顯示了頻率相對于溫度變化的變化率.單晶振單元的頻率溫度特性與整個振蕩電路的特性之間可能存在很大差異.
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7.檢查振蕩裕度的方法
1.為了確認振蕩器電路的振蕩裕度是足夠的,有必要知道振蕩器電路的負電阻(-R).
2.插入與晶體單元串聯的可變電阻器(VR),并將可變電阻器的值從振蕩停止狀態改變為振蕩開始.振蕩開始時VR的值是負電阻(-R).
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3.為了獲得振蕩器電路的足夠振蕩余量,調整C1,C2和Rd,使得負電阻值是貼片晶振單元的有效電阻值的五倍或更多.此外,我們建議在使用汽車等高可靠性設備時使用10次以上.
儲存時間:
在高溫和高濕度下存放可能會導致頻率精度和可焊性降低.因此,請存放在沒有陽光直射的常溫常濕下不會發生結露的地方.另外,避免長期存放,請在開封后盡快使用.
關于振蕩器電路設計的注意
在設計振蕩器電路時,必須將電路常數設置為最佳條件,以便可以充分利用晶體單元的特性.根據我們的經驗,Citizen提供服務以研究以下特性,以優化石英晶振單元和振蕩器之間的匹配.此電路調查的目的是為客戶提供使用晶體單元的更多信心.
1.MOSIC晶體振蕩器電路
| C L | 負載能力 |
|---|---|
| -R | 負載電阻 |
| 樂 | 有效電感 |
| 回復 | 有效阻力 |
負載電容(CL)是振蕩器電路中從晶體振蕩器到振蕩器電路的有效外部電容,諧振頻率由有源晶振和負載電容決定.因此,如果晶體單元的負載容量與所用電路的容量不匹配,則會發生頻移.
負電阻也稱為振蕩裕度,是電路啟動振蕩能力的量度.如果使用負電阻不足的電路,則可能發生意外事故,即使電源接通,西鐵城晶振也不會振蕩.
4.勵磁電流(i)
激勵電流表示流向晶體單元的電流.如果對晶體單元施加過大的激勵電流,則可能發生以下故障現象.
1.電磁波噪聲變強.
2.在T/F的情況下,發生分支破損.
3.發生頻率溫度特性的異常.
4.發生石英晶體振蕩器的特性變化.(頻率變化,等效串聯電阻變化等)
5.頻率-電源電壓特性
它表示頻率相對于電源電壓變化的變化率.由電源波動引起的頻率變化的原因在電路側(特別是IC)比石英振蕩器大,并且通常認為在頻率變化率保持在±5ppm以內時電源電壓的±10％波動是理想的.
6.頻率-溫度特性
它顯示了頻率相對于溫度變化的變化率.單晶振單元的頻率溫度特性與整個振蕩電路的特性之間可能存在很大差異.
1.為了確認振蕩器電路的振蕩裕度是足夠的,有必要知道振蕩器電路的負電阻(-R).
2.插入與晶體單元串聯的可變電阻器(VR),并將可變電阻器的值從振蕩停止狀態改變為振蕩開始.振蕩開始時VR的值是負電阻(-R).
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