常見問題

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低ESR50兆赫晶振優(yōu)化性... 隨著最近更精確的封裝制造技術(shù),將晶體和有源電路管芯包含在同一封裝中已經(jīng)變得可行.對(duì)于...

為了您的應(yīng)用選擇合適的... 為了為您的應(yīng)用選擇合適的晶體，必須仔細(xì)研究以下考慮因素:為什么我的水晶有時(shí)能工作,但...

石英晶體振蕩器振蕩電路... 振蕩電流是一種大小和方向都隨周期發(fā)生變化的電流,能產(chǎn)生振蕩電流的電路就叫做振蕩電路...

首頁進(jìn)口晶振 MTI晶振MTI晶振,405晶振,5032mm晶振

MTI晶振,405晶振,5032mm晶振

產(chǎn)品型號(hào)：84758375
頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
產(chǎn)品介紹：MTI晶振,405晶振,5032mm晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式...

MTI晶振,405晶振,5032mm晶振,5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.
MTI要求在自己的組織內(nèi)完善。每個(gè)產(chǎn)品都根據(jù)您的確切設(shè)計(jì)參數(shù)精確定義。每臺(tái)設(shè)備都保證是高質(zhì)量，精確和穩(wěn)定的頻率控制產(chǎn)品，可以讓您將系統(tǒng)提升到更高的性能水平。
“MTI差異”正在演變成我們獨(dú)特的個(gè)人商業(yè)模式。MTI的使命是為客戶提供無故障，無風(fēng)險(xiǎn)的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品源自在基于團(tuán)隊(duì)的問題解決氛圍中專業(yè)運(yùn)營的業(yè)務(wù)關(guān)系。
MTI將專有技術(shù)與大批量生產(chǎn)相結(jié)合，使您的振蕩器精確地滿足您的設(shè)計(jì)參數(shù)。無論您的要求是什么，例如滿足熱穩(wěn)定性，相位噪聲性能或獨(dú)特的頻率，我們都能滿足您的需求。通過購買MTI的振蕩器，您將獲得高質(zhì)量，精確且穩(wěn)定的頻率控制產(chǎn)品，使您可以將系統(tǒng)推向下一級(jí)別的性能。
我們與客戶密切合作，從設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)，原型設(shè)計(jì)到全面生產(chǎn)。在產(chǎn)品設(shè)計(jì)過程中使用先進(jìn)的建模，仿真和分析技術(shù)，并在生產(chǎn)中進(jìn)行嚴(yán)格的驗(yàn)證測(cè)試，確保我們的產(chǎn)品完全滿足您的應(yīng)用需求。MTI以兩年質(zhì)保為后盾，提供卓越的產(chǎn)品質(zhì)量！
從便攜式電池供電的蜂窩系統(tǒng)到衛(wèi)星導(dǎo)航和全球電信網(wǎng)絡(luò)，MTI產(chǎn)品遍布全球數(shù)千個(gè)項(xiàng)目。隨著市場(chǎng)需求的增加，MTI已準(zhǔn)備好迎接您的挑戰(zhàn)。我們致力于持續(xù)的內(nèi)部研究和開發(fā)計(jì)劃，專注于產(chǎn)品創(chuàng)新和增強(qiáng)的制造流程。
MTI Crystal擁有領(lǐng)先的制造技術(shù)和提供世界一流的客戶服務(wù),專業(yè)生產(chǎn)MTI-milliren溫補(bǔ)晶振,石英晶振,陶瓷晶振等頻率元件,所生產(chǎn)每個(gè)進(jìn)口米利倫晶振產(chǎn)品都可根據(jù)客戶需求定制,并確保生產(chǎn)出來的產(chǎn)品符合市場(chǎng)需求,通過匠心制造,贏得廣大用戶的追隨.MTI晶振,405晶振,5032mm晶振.

Specifi cations
Frequency Range	10 MHz to 40 MHz
Input Voltage (Vcc)	3.3V±5%; 3.0V±5%; 5V±5%
Input Current	2.0 mA maximum at 3 V (25°C)
Frequency Stability vs. Temperature	±1.5 ppm ±2 ppm; ±2.5 ppm; ±5 ppm;
Temperature Range	0° C to 70° C; -40° C to 85° C; 0° C to 50° C; -30° C to 75° C
Frequency Tolerance	±2.5 ppm / -30°C to 75°C
Frequency vs. Voltage	±0.2 ppm maximum / V ± 5%
Frequency vs. Load	±0.2 ppm maximum / 10 kOhms or 10 pF ±10%
Aging	±1.0 ppm maximum per year at 25°C
Output Load	10 kOhms or 10 pF ±10%
Output Waveform	Clipped Sine wave
Output Level	0.8Vp-p minimum
Start-up Time	2 ms (Typical)
SSB Phase Noise	-125 dBc/Hz at 1 KHz
Control Voltage (Vc, Option)	+2.5±1.0 VDC for Vcc = 5.0V; 1.5±1.0 VDC for Vcc = 3.0V
Controllable Frequency	±12 ppm minimum for Vcc = 5.0V; ±8 ppm minimum for Vcc = 3.0V

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
  石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。MTI晶振,405晶振,5032mm晶振.

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