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更多>>Vishay晶振為您講解當今的微型振蕩器封裝可最大限度地減少微音
來源：http://www.diginow.com.cn 作者：康比電子 2022年05月21
>1MHz的晶體通常是AT切割晶體。這些設備可以承受很寬的驅(qū)動電平范圍。在達到毫瓦驅(qū)動水平之前不會發(fā)生斷裂。額外的老化可能發(fā)生在更高的µW驅(qū)動范圍。過度驅(qū)動晶體會激發(fā)不需要的振動模式。這些可能導致在不同的狹窄溫度范圍內(nèi)出現(xiàn)嚴重的頻率跳躍。
頻率溫度特性
晶體的頻率響應由晶體穿過石英晶體的原子平面的切割決定。這導致穩(wěn)定和可重復的溫度響應。該圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率溫度響應。每條曲線有2分鐘的弧度不同。
指定晶體和來料檢驗晶體具有許多參數(shù)，應指定這些參數(shù)以確保收到滿足最終應用要求的設備。
頻率/校準，設定點為25°C/CLOAD/穩(wěn)定性、頻率與溫度的關系（以25°C為基準）/工作溫度范圍/Cl的最大ESR，石英晶體諧振器電阻/C0范圍，引腳間電容/LMOTIONAL或CMOTIONAL，設置晶體的可拉性/駕駛水平/頻率和電阻的驅(qū)動電平相關性(DLD)/老化/絕緣電阻
還有其他規(guī)格，例如每°C的最大允許頻率變化，或平滑曲線的最大允許響應（擾動控制）。進貨檢驗或測試需要專門的設備：晶體阻抗計（CIMeter）/帶有特殊測試夾具和軟件的網(wǎng)絡分析儀
CLOAD溫度系數(shù)可以將這種響應改變很多分鐘。CLOAD值和電容器對于振蕩器滿足所需特性至關重要。放大器的CSTRAY和放大器相移隨溫度的變化都會影響頻率溫度特性。
使用振蕩器的設計注意事項:2.1振蕩器安裝了未完成的晶體，并且在過程的最后部分，晶體在室溫下校準其頻率。2.2晶體與振蕩器電路的溫度系數(shù)相匹配。改變晶角或切割以抵消振蕩器電路的溫度系數(shù)。2.3通向晶體的引線通常被密封在密封晶體封裝中，以盡量減少最終用途改變振蕩器性能的任何機會。使用示波器、頻率計數(shù)器和電源可以輕松測試或驗證振蕩器的性能。
在數(shù)據(jù)表中指定。 振蕩器設計的一部分。
振蕩器封裝通常可以保護器件免受系統(tǒng)噪聲注入。
最終用戶必須通過電源引線旁路提供無噪聲電源信號。
| 7XZ-32.768KDA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7XZ-32.768KDA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7XZ-32.768KDA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7XZ-32.768KDE-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
| 7XZ-32.768KDE-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
| 7XZ-32.768KDE-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±50ppm |
| 7W-8.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
| 7W-8.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
| 7W-8.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 8MHz | ±50ppm |
| 7W-50.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
| 7W-50.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
| 7W-50.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±50ppm |
| 7W-50.000MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
| 7W-50.000MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
| 7W-50.000MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 50MHz | ±25ppm |
| AU-26.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
| AU-26.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
| AU-26.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 7C-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
| 7C-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
晶體的頻率響應由晶體穿過石英晶體的原子平面的切割決定。這導致穩(wěn)定和可重復的溫度響應。該圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率溫度響應。每條曲線有2分鐘的弧度不同。
| 7C-40.000MBA-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±25ppm |
| 7Z-38.400MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 7Z-38.400MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 7Z-38.400MBG-T | TXC 晶振 | 7Z | TCXO | 38.4MHz | ±500ppb |
| 6U-16.384MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
| 6U-16.384MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
| 6U-16.384MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 16.384MHz | ±50ppm |
| BF-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
| BF-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
| BF-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 125MHz | ±50ppm |
| BF-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BF-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BF-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| BX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | BX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| CX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| CX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| CX-100.000MBE-T | TXC 晶振 | CX | XO | 100MHz | ±50ppm |
| 7XZ-32.768KBA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7XZ-32.768KBA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7XZ-32.768KBA-T | TXC 晶振 | 7XZ | XO | 32.768kHz | ±25ppm |
| 7W-25.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
| 7W-25.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
| 7W-25.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 25MHz | ±50ppm |
頻率/校準，設定點為25°C/CLOAD/穩(wěn)定性、頻率與溫度的關系（以25°C為基準）/工作溫度范圍/Cl的最大ESR，石英晶體諧振器電阻/C0范圍，引腳間電容/LMOTIONAL或CMOTIONAL，設置晶體的可拉性/駕駛水平/頻率和電阻的驅(qū)動電平相關性(DLD)/老化/絕緣電阻
| 7W-48.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
| 7W-48.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
| 7W-48.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 48MHz | ±50ppm |
| 7X-19.200MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
| 7X-19.200MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
| 7X-19.200MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
| 7X-30.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
| 7X-30.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
| 7X-30.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 30MHz | ±50ppm |
| AW-11.2896MBE-T | TXC 晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
| AW-11.2896MBE-T | TXC 晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
| AW-11.2896MBE-T | TXC 晶振 | AW | XO | 11.2896MHz | ±50ppm |
| AU-50.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
| AU-50.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
| AU-50.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 50MHz | ±50ppm |
| 7X-38.400MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
| 7X-38.400MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
| 7X-38.400MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 38.4MHz | ±25ppm |
| 8W-12.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
| 8W-12.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
| 8W-12.000MBA-T | TXC 晶振 | 8W | XO | 12MHz | ±25ppm |
| BB-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
| BB-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
| BB-125.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 7W-4.096MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
CLOAD溫度系數(shù)可以將這種響應改變很多分鐘。CLOAD值和電容器對于振蕩器滿足所需特性至關重要。放大器的CSTRAY和放大器相移隨溫度的變化都會影響頻率溫度特性。
| 7W-4.096MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
| 7W-4.096MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 4.096MHz | ±50ppm |
| 7W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7W-40.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7C-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 7C-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 7C-26.000MBB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 26MHz | ±50ppm |
| 7C-40.000MCB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7C-40.000MCB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7C-40.000MCB-T | TXC 晶振 | 7C | XO | 40MHz | ±50ppm |
| 7W-66.6666MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 66.6666MHz | ±50ppm |
| 7W-66.6666MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 66.6666MHz | ±50ppm |
| 7W-66.6666MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 66.6666MHz | ±50ppm |
| 7W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 7W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 7W-24.576MBA-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 24.576MHz | ±25ppm |
| 7X-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| 7X-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| 7X-19.200MBA-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±25ppm |
| BB-161.1328MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
| BB-161.1328MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
| BB-161.1328MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 161.1328MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBE-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBE-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBE-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| 7X-20.000MBB-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 20MHz | ±50ppm |
| AU-33.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
| AU-33.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
| AU-33.000MBE-T | TXC 晶振 | AU | XO | 33MHz | ±50ppm |
| 7WA2572007 | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 7WA2572007 | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 7WA2572007 | TXC 晶振 | 7W | XO | 125MHz | ±50ppm |
| 6U-32.768MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
| 6U-32.768MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
| 6U-32.768MBE-T | TXC 晶振 | 6U | VCXO | 32.768MHz | ±50ppm |
| BF-62.500MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
| BF-62.500MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
| BF-62.500MBE-T | TXC 晶振 | BF | XO | 62.5MHz | ±50ppm |
| BB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| BB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| BB-150.000MBE-T | TXC 晶振 | BB | XO | 150MHz | ±50ppm |
| BR-61.4400MBE-T | TXC 晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| BR-61.4400MBE-T | TXC 晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| BR-61.4400MBE-T | TXC 晶振 | BR | VCXO | 61.44MHz | ±50ppm |
| 7N-12.800MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
| 7N-12.800MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
| 7N-12.800MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 12.8MHz | ±280ppb |
振蕩器封裝通常可以保護器件免受系統(tǒng)噪聲注入。
最終用戶必須通過電源引線旁路提供無噪聲電源信號。
| 7N-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| 7N-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| 7N-26.000MBP-T | TXC 晶振 | 7N | TCXO | 26MHz | ±280ppb |
| TC-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TC-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TC-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TC-70.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 70MHz | ±25ppm |
| TC-70.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 70MHz | ±25ppm |
| TC-70.000MBD-T | TXC 晶振 | TC | MEMS (Silicon) | 70MHz | ±25ppm |
| TD-19.200MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 19.2MHz | ±25ppm |
| TD-19.200MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 19.2MHz | ±25ppm |
| TD-19.200MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 19.2MHz | ±25ppm |
| TD-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TD-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TD-3.6864MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 3.6864MHz | ±25ppm |
| TD-64.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 64MHz | ±25ppm |
| TD-64.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 64MHz | ±25ppm |
| TD-64.000MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 64MHz | ±25ppm |
| TD-7.3728MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 7.3728MHz | ±25ppm |
| TD-7.3728MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 7.3728MHz | ±25ppm |
| TD-7.3728MBD-T | TXC 晶振 | TD | MEMS (Silicon) | 7.3728MHz | ±25ppm |
| 7W-32.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
| 7W-32.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
| 7W-32.000MBB-T | TXC 晶振 | 7W | XO | 32MHz | ±50ppm |
| 7X-19.200MBE-T | TXC 晶振 | 7X | XO | 19.2MHz | ±50ppm |
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